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| Numero de parte | STD5N60DM2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.5A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 375pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 Ohm @ 1.75A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricante: SMC Diode Solutions
Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V DPAK
En stock: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
En stock: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 40V 12.2A DPAK
En stock: 2500
