STMicroelectronics STGD6M65DF2

Numero de parte: STGD6M65DF2
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - IGBT - Simple

STMicroelectronics

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	STGD6M65DF2
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	Trench Field Stop
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	650V
Current - Collector (Ic) (Max)	12A
Corriente - colector pulsado (Icm)	24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 6A
Potencia - Max	88W
Conmutación de energía	36µJ (on), 200µJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Cargo de puerta	21.2nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C	15ns/90ns
Condición de prueba	400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	140ns
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK