Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - Bipolar (BJT) - Simple 2SC3324GRTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324GRTE85LF

Numero de parte
2SC3324GRTE85LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parte 2SC3324GRTE85LF
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 120V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Potencia - Max 150mW
Frecuencia - Transición 100MHz
Temperatura de funcionamiento 125°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor TO-236
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