Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S30,H3F

Numero de parte: CUS10S30,H3F
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Diodos - Rectificadores - Simple

Toshiba Semiconductor and Storage

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
0.03360/pcs
3,000 pcs
0.03360/pcs
6,000 pcs
0.03024/pcs
15,000 pcs
0.02688/pcs
30,000 pcs
0.02520/pcs
75,000 pcs
0.02240/pcs

Total:0.03360/pcs

Unit Price:

0.03360/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	CUS10S30,H3F
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Schottky
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Corriente - promedio rectificado (Io)	1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	230mV @ 100mA
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	-
Current - Reverse Leakage @ Vr	500µA @ 30V
Capacitancia @ Vr, F	135pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SC-76, SOD-323
Paquete de dispositivo del proveedor	USC
Temperatura de funcionamiento - unión	125°C (Max)