Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-Y,LF

Numero de parte: HN1A01FE-Y,LF
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos

Toshiba Semiconductor and Storage

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
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4,000 pcs
0.01811/pcs
8,000 pcs
0.01575/pcs
12,000 pcs
0.01339/pcs
28,000 pcs
0.01260/pcs
100,000 pcs
0.01050/pcs

Total:0.01811/pcs

Unit Price:

0.01811/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	HN1A01FE-Y,LF
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	50V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Corriente - corte de colector (máximo)	100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 2mA, 6V
Potencia - Max	100mW
Frecuencia - Transición	80MHz
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor	ES6