Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos HN1C01FU-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-GR,LF

Numero de parte
HN1C01FU-GR,LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Precio objetivo:
Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parte HN1C01FU-GR,LF
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor 2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Corriente - corte de colector (máximo) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Potencia - Max 200mW
Frecuencia - Transición 80MHz
Temperatura de funcionamiento 125°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor US6
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