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| Numero de parte | HN2S03T(TE85L) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Configuración de Diodo | 2 Independent |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 50mA |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 550mV @ 50mA |
| Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 20V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | 125°C (Max) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 4-SMD, Flat Leads |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TESQ |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V US6
En stock: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V US6
En stock: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ
En stock: 0
