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| Numero de parte | TK6A80E,S4X |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 600µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 Ohm @ 3A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220SIS |
| Paquete / caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 450V 5.5A TO-220SIS
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 500V 6A TO-220SIS
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 525V 6A TO-220SIS
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 800V TO220SIS
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