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| Numero de parte | TPCA8011-H(TE12LQM |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 200µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.6W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP Advance (5x5) |
| Paquete / caja | 8-PowerVDFN |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 30V 35A SOP-8 ADV
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 250V 4A 8-SOPA
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 250V 4A SOP-8 ADV
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 150V 7A 8-SOPA
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 200V 5.5A SOP-8 ADV
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 20V 40A SOP-8 ADV
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 30V 40A SOP-8 ADV
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