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| Numero de parte | BAL99-HE3-18 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 250mA |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 6ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2.5µA @ 70V |
| Capacitancia @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
En stock: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
En stock: 0
