Numero de parte | BYM10-100HE3/97 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitancia @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | DO-213AB, MELF (Glass) |
Paquete de dispositivo del proveedor | DO-213AB |
Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 175°C |
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
En stock: 3000
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
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Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
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