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| Numero de parte | SI4830ADY-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potencia - Max | 1.1W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
Fabricante: Silicon Labs
Descripción: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM
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Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
En stock: 7500
