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| Numero de parte | SI7230DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 14A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 |
| Paquete / caja | PowerPAK® 1212-8 |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8
En stock: 9000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
En stock: 3000
