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| Numero de parte | SQ1431EH-T1_GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 205pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 2A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SC-70-6 (SOT-363) |
| Paquete / caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
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