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| Numero de parte | V10P10-E3/86A |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 10A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 680mV @ 10A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 150µA @ 100V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-277, 3-PowerDFN |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-277A (SMPC) |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -40°C ~ 150°C |
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 10A TO277A
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
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