Osa numero | DMN1019USN-7 |
---|---|
Osan tila | Active |
FET-tyyppi | N-Channel |
tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 12V |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 9.3A (Ta) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50.6nC @ 8V |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 2426pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±8V |
FET-ominaisuus | - |
Tehonsyöttö (maksimi) | 680mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajan laitepaketti | SC-59 |
Pakkaus / kotelo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Varastossa: 6000
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
Varastossa: 4000
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Varastossa: 15000
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN1010-
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Varastossa: 6000
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Varastossa: 20000
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Varastossa: 3000
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Varastossa: 3000