epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.
| Osa numero | EPC8003ENGR |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| tekniikka | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 100V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.32nC @ 5V |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 38pF @ 50V |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehonsyöttö (maksimi) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 500mA, 5V |
| Käyttölämpötila | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Toimittajan laitepaketti | Die |
| Pakkaus / kotelo | Die |
