Osa numero | 62-0063PBF |
---|---|
Osan tila | Obsolete |
FET-tyyppi | N-Channel |
tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 12V |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 2550pF @ 6V |
Vgs (Max) | ±12V |
FET-ominaisuus | - |
Tehonsyöttö (maksimi) | 2.5W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 15A, 4.5V |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajan laitepaketti | 8-SO |
Pakkaus / kotelo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Varastossa: 0