Infineon Technologies IPD50N03S207ATMA1

Osa numero: IPD50N03S207ATMA1
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Infineon Technologies

hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
0.23647/pcs
2,500 pcs
0.25372/pcs

Kaikki yhteensä:0.23647/pcs

Unit Price:

0.23647/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	IPD50N03S207ATMA1
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
tekniikka	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)	30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 85µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-ominaisuus	-
Tehonsyöttö (maksimi)	136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.3 mOhm @ 50A, 10V
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajan laitepaketti	PG-TO252-3
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63