Infineon Technologies IPP110N20NA

Osa numero: IPP110N20NA
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Infineon Technologies

hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
3.72500/pcs
10 pcs
3.52300/pcs
100 pcs
2.89670/pcs
500 pcs
2.42698/pcs
1,000 pcs
2.11382/pcs

Kaikki yhteensä:3.72500/pcs

Unit Price:

3.72500/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	IPP110N20NA
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
tekniikka	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)	200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	88A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	7100pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET-ominaisuus	-
Tehonsyöttö (maksimi)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.7 mOhm @ 88A, 10V
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Toimittajan laitepaketti	PG-TO-220-3
Pakkaus / kotelo	TO-220-3