Infineon Technologies IPP65R310CFD

Osa numero: IPP65R310CFD
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Infineon Technologies

hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
1.19500/pcs
10 pcs
1.13200/pcs
100 pcs
0.90980/pcs
500 pcs
0.70763/pcs
1,000 pcs
0.58632/pcs

Kaikki yhteensä:1.19500/pcs

Unit Price:

1.19500/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	IPP65R310CFD
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
tekniikka	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)	650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	11.4A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET-ominaisuus	-
Tehonsyöttö (maksimi)	104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	310 mOhm @ 4.4A, 10V
Käyttölämpötila	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Toimittajan laitepaketti	PG-TO-220-3
Pakkaus / kotelo	TO-220-3