provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APT36GA60BD15 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| IGBT-tyyppi | PT |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 600V |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 65A |
| Nykyinen - Collector Pulsed (Icm) | 109A |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Teho - Max | 290W |
| Energian vaihto | 307µJ (on), 254µJ (off) |
| Syötteen tyyppi | Standard |
| Gate Charge | 18nC |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C | 16ns/122ns |
| Testausolosuhteet | 400V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| Käänteinen palautusaika (trr) | - |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-247-3 |
| Toimittajan laitepaketti | TO-247 [B] |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 600V 65A 290W TO-247
Varastossa: 100
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 600V 65A 290W TO-247
Varastossa: 38
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
Varastossa: 96
