provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | JANTX1N4970US |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Jännite - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
| Toleranssi | ±5% |
| Teho - Max | 5W |
| Impedanssi (maksimi) (Zzt) | 10 Ohm |
| Nykyinen - taaksepäin vuoto @ Vr | 2µA @ 25.1V |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (maksimi) @ Jos | 1.5V @ 1A |
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Pakkaus / kotelo | E-MELF |
| Toimittajan laitepaketti | D-5B |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Varastossa: 87
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Varastossa: 100
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 39
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 36
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 4
