Koti Tuoteseloste Diskreetti puolijohde Transistorit - FETit, MOSFETit - Single NP75P04YLG-E1-AY

Renesas Electronics America NP75P04YLG-E1-AY

Osa numero
NP75P04YLG-E1-AY
Valmistaja
Renesas Electronics America
Kuvaus
MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Perhe
Transistorit - FETit, MOSFETit - Single
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

Varastossa $ Määrä kpl
  • Viitehinta

    (Yhdysvaltain dollareina)
  • 1 pcs

    -
Kaikki yhteensä:0 Unit Price:
0
Tavoitehinta:
Määrä:
Tuoteparametri
Osa numero NP75P04YLG-E1-AY
Osan tila Obsolete
FET-tyyppi P-Channel
tekniikka MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss) 40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-ominaisuus -
Tehonsyöttö (maksimi) 1W (Ta), 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7 mOhm @ 37.5A, 10V
Käyttölämpötila 175°C (TJ)
Asennustyyppi Surface Mount
Toimittajan laitepaketti 8-HSON
Pakkaus / kotelo 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Liittyvät tuotteet
NP75P03YDG-E1-AY

Valmistaja: Renesas Electronics America

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON

Varastossa: 0

RFQ 0.46069/pcs
NP75P04YLG-E1-AY

Valmistaja: Renesas Electronics America

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON

Varastossa: 0

RFQ -