rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.
| Osa numero | RDN050N20FU6 |
|---|---|
| Osan tila | Not For New Designs |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 200V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6nC @ 10V |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 292pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehonsyöttö (maksimi) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 720 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Käyttölämpötila | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Toimittajan laitepaketti | TO-220FN |
| Pakkaus / kotelo | TO-220-3 Full Pack |
Valmistaja: Rohm Semiconductor
Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
Varastossa: 0
