Toshiba Semiconductor and Storage RN1961(TE85L,F)

Osa numero: RN1961(TE85L,F)
Valmistaja: Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - bipolaari (BJT) - matriisit, pre-biased

Toshiba Semiconductor and Storage

toshiba semiconductor & storage offers a broad range of enabling technology solutions that allow oems, odms, cms and fabless chip companies to develop advanced integrated products for the computing, networking, communications, digital consumer, automotive and other markets.

Tuoteparametri

Osa numero	RN1961(TE85L,F)
Osan tila	Active
Transistorityyppi	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Nykyinen - Collector (Ic) (Max)	100mA
Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi)	50V
Vastus - pohja (R1) (ohmit)	4.7k
Vastus - emitteripohja (R2) (ohmit)	4.7k
DC Virranotto (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Nykyinen - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Taajuus - Siirtyminen	250MHz
Teho - Max	200mW
Asennustyyppi	Surface Mount
Pakkaus / kotelo	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Toimittajan laitepaketti	US6