Koti Tuoteseloste Diskreetti puolijohde Transistorit - FETit, MOSFETit - Single TPC8022-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage TPC8022-H(TE12LQ,M

Osa numero
TPC8022-H(TE12LQ,M
Valmistaja
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus
MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Perhe
Transistorit - FETit, MOSFETit - Single
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

toshiba semiconductor & storage offers a broad range of enabling technology solutions that allow oems, odms, cms and fabless chip companies to develop advanced integrated products for the computing, networking, communications, digital consumer, automotive and other markets.

Varastossa $ Määrä kpl
  • Viitehinta

    (Yhdysvaltain dollareina)
  • 1 pcs

    -
Kaikki yhteensä:0 Unit Price:
0
Tavoitehinta:
Määrä:
Tuoteparametri
Osa numero TPC8022-H(TE12LQ,M
Osan tila Obsolete
FET-tyyppi N-Channel
tekniikka MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss) 40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C 7.5A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-ominaisuus -
Tehonsyöttö (maksimi) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 3.8A, 10V
Käyttölämpötila 150°C (TJ)
Asennustyyppi Surface Mount
Toimittajan laitepaketti 8-SOP (5.5x6.0)
Pakkaus / kotelo 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Liittyvät tuotteet
TPC8021-H(TE12LQ,M

Valmistaja: Toshiba Semiconductor and Storage

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Varastossa: 0

RFQ -
TPC8022-H(TE12LQ,M

Valmistaja: Toshiba Semiconductor and Storage

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B

Varastossa: 0

RFQ -
TPC8026(TE12L,Q,M)

Valmistaja: Toshiba Semiconductor and Storage

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Varastossa: 0

RFQ -