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| Numéro d'article | VP0106N3-G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 250mA (Tj) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 500mA, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-92-3 |
| Paquet / cas | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Fabricant: Microchip Technology
La description: MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3
En stock: 1686
Fabricant: Microchip Technology
La description: MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
En stock: 944
Fabricant: Microchip Technology
La description: MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3
En stock: 1170
