Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples DMG3418L-13

Diodes Incorporated DMG3418L-13

Numéro d'article
DMG3418L-13
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article DMG3418L-13
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 464.3pF @ 15V
Vgs (Max) ±12V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-23
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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