Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples DMN6013LFG-13

Diodes Incorporated DMN6013LFG-13

Numéro d'article
DMN6013LFG-13
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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En Stock $ Quantité pcs
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    (En dollars américains)
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Total:0.16008/pcs Unit Price:
0.16008/pcs
Prix ​​cible:
Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article DMN6013LFG-13
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 55.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2577pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerDI3333-8
Paquet / cas 8-PowerWDFN
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