Fairchild/ON Semiconductor FDB13AN06A0

Numéro d'article: FDB13AN06A0
Fabricant: Fairchild/ON Semiconductor
La description: MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fairchild / ON Semiconductor

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Paramètre du produit

Numéro d'article	FDB13AN06A0
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10.9A (Ta), 62A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 62A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D²PAK (TO-263AB)
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB