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| Numéro d'article | GP1M012A060H |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2308pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 231W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220 |
| Paquet / cas | TO-220-3 |
Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
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