Numéro d'article | GP2M020A050N |
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État de la pièce | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2880pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 312W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 10A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | TO-3PN |
Paquet / cas | TO-3P-3, SC-65-3 |
Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 600V 2A
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
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La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
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La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
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