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| Numéro d'article | GSID100A120T2C1A |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | - |
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200A |
| Puissance - Max | 800W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 13.7nF @ 25V |
| Contribution | Three Phase Bridge Rectifier |
| Thermistance NTC | Yes |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | Module |
| Package de périphérique fournisseur | Module |
Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: IGBT MODULE 1200V 170A
En stock: 7
Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: SILICON IGBT MODULES
En stock: 0
Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: SILICON IGBT MODULES
En stock: 0
Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: SILICON IGBT MODULES
En stock: 0
