Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices BSD840N L6327

Infineon Technologies BSD840N L6327

Numéro d'article
BSD840N L6327
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Paramètre du produit
Numéro d'article BSD840N L6327
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 880mA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 750mV @ 1.6µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.26nC @ 2.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 78pF @ 10V
Puissance - Max 500mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur PG-SOT363-6
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RFQ 0.03960/pcs