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Infineon Technologies BSO330N02KGFUMA1

Numéro d'article
BSO330N02KGFUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Paramètre du produit
Numéro d'article BSO330N02KGFUMA1
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 10V
Puissance - Max 1.4W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur PG-DSO-8
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BSO330N02KGFUMA1

Fabricant: Infineon Technologies

La description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO

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