Infineon Technologies BSS119NH6327XTSA1

Numéro d'article: BSS119NH6327XTSA1
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Infineon Technologies

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Paramètre du produit

Numéro d'article	BSS119NH6327XTSA1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	190mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 13µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	20.9pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 190mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-SOT23-3
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3