Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - IGBT - Simples IGD01N120H2BUMA1

Infineon Technologies IGD01N120H2BUMA1

Numéro d'article
IGD01N120H2BUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - IGBT - Simples
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Paramètre du produit
Numéro d'article IGD01N120H2BUMA1
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 3.2A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 3.5A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 1A
Puissance - Max 28W
Échange d'énergie 140µJ
Type d'entrée Standard
Charge de porte 8.6nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 13ns/370ns
Condition de test 800V, 1A, 241 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur PG-TO252-3
Produits connexes
IGD01N120H2BUMA1

Fabricant: Infineon Technologies

La description: IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3

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