Infineon Technologies IPA80R1K4CEXKSA2

Numéro d'article: IPA80R1K4CEXKSA2
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Infineon Technologies

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En Stock $ Quantité pcs

Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
0.66500/pcs
10 pcs
0.65750/pcs
100 pcs
0.51975/pcs
500 pcs
0.40306/pcs
1,000 pcs
0.31821/pcs

Total:0.66500/pcs

Unit Price:

0.66500/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	IPA80R1K4CEXKSA2
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3.9A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 240µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	570pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO220 Full Pack
Paquet / cas	TO-220-3 Full Pack