Infineon Technologies IPP034N03LGXKSA1

Numéro d'article: IPP034N03LGXKSA1
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Infineon Technologies

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Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
0.80500/pcs
10 pcs
0.75450/pcs
100 pcs
0.59615/pcs
500 pcs
0.46231/pcs
1,000 pcs
0.36498/pcs

Total:0.80500/pcs

Unit Price:

0.80500/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	IPP034N03LGXKSA1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5300pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO220-3-1
Paquet / cas	TO-220-3