Infineon Technologies IPW60R041P6FKSA1

Numéro d'article: IPW60R041P6FKSA1
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Infineon Technologies

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En Stock $ Quantité pcs

Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
5.82500/pcs
10 pcs
5.50700/pcs
100 pcs
4.52820/pcs
500 pcs
3.79388/pcs

Total:5.82500/pcs

Unit Price:

5.82500/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	IPW60R041P6FKSA1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	77.5A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 2.96mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	170nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8180pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	481W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 35.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO247-3
Paquet / cas	TO-247-3