Infineon Technologies IRF1010NPBF

Numéro d'article: IRF1010NPBF
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Infineon Technologies

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En Stock $ Quantité pcs

Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
0.84000/pcs
10 pcs
0.78750/pcs
100 pcs
0.62255/pcs
500 pcs
0.48279/pcs
1,000 pcs
0.38115/pcs

Total:0.84000/pcs

Unit Price:

0.84000/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	IRF1010NPBF
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	85A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3210pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 43A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220AB
Paquet / cas	TO-220-3