Numéro d'article | IRF300P227 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 300V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4893pF @ 50V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 313W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 30A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | TO-247AC |
Paquet / cas | TO-247-3 |
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET IFX OPTIMOS TO247
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET IFX OPTIMOS TO247
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
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