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| Numéro d'article | IRF630NSPBF |
|---|---|
| État de la pièce | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 9.3A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 82W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 5.4A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | D2PAK |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 60V 130A
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
En stock: 0
