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| Numéro d'article | IRF6644TRPBF |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 10.3A (Ta), 60A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 150µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2210pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10.3A, 10V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | DIRECTFET™ MN |
| Paquet / cas | DirectFET™ Isometric MN |
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 60V 130A
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
En stock: 0
