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| Numéro d'article | IRF7338PBF |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 12V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 6.3A, 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 9V |
| Puissance - Max | 2W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
En stock: 4000
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
En stock: 5991
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
En stock: 12000
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
En stock: 0
