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| Numéro d'article | IRF8852TRPBF |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 25V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 7.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1151pF @ 20V |
| Puissance - Max | 1W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-TSSOP |
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
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