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| Numéro d'article | IRF8910GTRPBF |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 10A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 10V |
| Puissance - Max | 2W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
En stock: 1
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
En stock: 4000
