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| Numéro d'article | IRFHE4250DTRPBF |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 25V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 86A, 303A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.75 mOhm @ 27A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1735pF @ 13V |
| Puissance - Max | 156W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 32-PowerWFQFN |
| Package de périphérique fournisseur | 32-PQFN (6x6) |
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
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