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| Numéro d'article | SPD02N50C3BTMA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | - |
| La technologie | - |
| Drain à la tension de source (Vdss) | - |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | - |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Paquet / cas | - |
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: LOW POWER_LEGACY
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
En stock: 0
